Дослідники з Технологічного університету Гельсінкі (Фінляндія) у співпраці зі своїми колегами з університетів Нового Південного Уельсу (Австралія) і Мельбурна (Австралія), успішно працює створили транзистор з активною областю, що складається з одного атома фосфору в кремнії.

Принцип роботи пристрою базується на послідовному тунелюванні окремих електронів. Тунелювання може бути придушено або відкрито за допомогою контролю напруги на металевому електроді шириною всього в декілька десятків нанометрів. (далее…)